据韩媒报道，苹果正计划在2027年推出的iPhone系列（包含20周年纪念机型）中首次引入移动高带宽内存（HBM）技术，这项突破性升级有望使人工智能处理速度实现指数级提升。知情人士透露，苹果已着手重新设计应用处理器架构，并可能将HBM直接连接至图形处理器单元（GPU），这一配置方案与苹果自研芯片Mac的"统一内存"架构异曲同工。
供应链消息显示，三星电子与SK海力士两大存储巨头正在加速研发移动端HBM封装技术。三星采用"垂直铜柱堆叠"(VCS)方案，SK海力士则开发"垂直线路扇出"(VFO)技术，双方预计2026年后实现量产，届时将为争夺苹果订单展开激烈竞争。
除了内存革命，20周年纪念款iPhone还将带来多项创新：
显示技术：采用16纳米FinFET工艺的OLED驱动芯片，功耗降低30%；四面无边框设计或成现实，三星专供的M16显示材料有望消除屏幕黑边
影像突破：通过透明聚酰亚胺基板与特殊透镜技术，解决屏下摄像头光学损耗难题
电池革新：100%硅基阴极材料将取代石墨，在提升能量密度的同时支持更强AI算力
业内人士分析，此次升级标志着苹果在移动AI竞赛中加码硬件军备。通过HBM技术，iPhone处理器可突破传统LPDDR内存的带宽限制，实现最高320GB/s的数据传输速度，这对需要实时处理大量数据的生成式AI应用至关重要。